Итоги работы по EUV-литографу и план разработки технологий, представленные на форуме «Микроэлектроника 2025», опубликовал Институт физики микроструктур РАН, сообщил в субботу tomshardware.com.
EUV-оборудование необходимо для производства чипов на фоне ограничения доступа РФ к западным технологиям, в том числе к аппаратуре нидерландской ASML, установленной, в частности, на тайваньской TSMC.
Отечественная технология предполагает удешевление производства. В отличие от EUV-станков ASML российские специалисты предложили применять твёрдотельные гибридные лазеры, ксеноновую плазму в источнике, зеркала из рутения и бериллия «на 11,2 нм».
Дорожная карта развития высокопроизводительной рентгеновской литографии рассчитана на 2026-2037 годы и включает три этапа:
- 2026–2028 годы – литографический станок с разрешением 40 нм, объективом с двумя зеркалами, точностью наложения 10 нм, полем экспозиции до 3×3 мм, производительность более пяти пластин в час;
- 2029–2032 годы – сканер с длиной волны 28 нм (с возможностью использования длины волны 14 нм), в котором используется четырёхзеркальная оптическая система, точность наложения 5 нм, поле экспозиции 26×0,5 мм, производительность более 50 пластин в час;
- 2033–2037 годы – производство по техпроцессу до 10 нм с использованием конфигурации из шести зеркал, выравнивания наложения с точностью до 2 нм и размером полей до 26×2 мм, производительность более 100 пластин в час.
