КНР сократила отставание от США и Южной Кореи с началом выпуска DRAM-чипов по технологии 16 нм – СМИ

Китайский производитель полупроводниковой продукции ChangXin Memory Technologies (CXMT) сократил отставание от конкурентов, американской Micron и южнокорейских Samsung Electronics с SK Hynix, начав выпуск DRAM-чипов памяти по технологии 16 нм, пишет в четверг South China Morning Post.

Чип разработан при помощи передового оборудования, несмотря на усилия США по ограничению поставок в КНР аппаратуры для выпуска микросхем.

DRAM-чипы CXMT относятся к пятому поколению памяти (DDR5). Прогнозируются, что микросхемы этого типа будут пользоваться наибольшим спросом до 2027 года.

См. также:

• США разрешили поставку оборудования для производства чипов корейским фабрикам в Китае >>>
• Китайские компании совершили прорыв в области высокопроизводительных чипов – СМИ >>>