Samsung объявила о планах вложить триллионы вон в научно-исследовательский центр полупроводниковой индустрии
Корейская Samsung Electronics провела церемонию закладки первого камня нового научно-исследовательского центра по производству чипов, предполагается, что к 2028 году инвестиции компании в центр составят около 20 триллионов вон (908 миллиардов рублей), сообщает в пятницу Reuters.
Центр будет построен к югу от Сеула. Сотрудники предприятия займутся перспективными исследованиями в области новых поколений устройств и технологических процессов выпуска микросхем памяти и системных плат. Заработать центр должен, по данным sammobile.com, в 2025 году.
«Samsung Electronics намерена обойти ограничения в области размеров полупроводников», – подчеркнули в компании.
Агентство особо отметило, что в церемонии закладки принял участие недавно помилованный вице-президент Samsung Electronics Ли Чжэ Ён (Lee Jae-yong), осуждённый ранее за взятку. Власти объяснили решение о помиловании тем, что стране необходим бизнес-лидер, который поможет преодолеть кризис в национальной экономике.
См. также: Суд смягчил приговор вице-президенту Samsung и отсрочил его исполнение >>>